VS-20ETF12STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 20 A
Composants électroniques
SDURS30Q60WT · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 30 A
RF1501TF3S · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
- Technologie
- Standard
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 8 A
NRVB120ESFT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
VS-8EWS12STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 8 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 620 MV @ 3 A
VS-20ETF02STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A
OPA2172IDR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 1.6 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 15 PA
VS-8EWS08STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 8 A
SFAF504G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 5 A
VS-20ETF04STRR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A
SICRD5650 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 5 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 810 MV @ 5 A
VS-20ETF04S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 20 A
IDP45E60XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 45 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 3.5 A
LM7171BIMX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 6.5 MA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C