SICU0660P-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 6 A
Composants électroniques
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 5 A
VS-10ETF02FP-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 10 A
1N4148UR-1E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
MBR1060 · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 10 A
SF2004PTH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 20 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 5 A
VS-HFA16TB120SL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.93 V @ 32 A
STPSC6C065DY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 6 A
TL082QDRQ1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 1.4 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 200 PA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 3 A
VS-HFA16TB120SR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.93 V @ 32 A
1N645-1E3/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 225 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 690 MV @ 5 A
VS-ETU3006S2LHM3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 30 A
SF1606PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 8 A
HS5J · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 5 A
JAN1N4150UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA