MBRTA80020L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
BYG10YHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRTA50035 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6073 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 20 MA
MBRF60080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FFSH30120A · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
MBRTA800150R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6068 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 20 MA
MBRF200150R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
DFLS130-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 1 A
MBRTA500200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
C6D10170H · Composants électroniques
- Fabricant
- Wolfspeed, Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 18 µA @ 1700 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
MBRTA60080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N6073US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.04 V @ 9.4 A
MBRF12080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
B340A-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 3 A
MBRF60045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
FFSH5065A-F155 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C