MBRF400150R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
S2JHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRTA60045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S1PG-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MBRTA80060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N6701US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 470 MV @ 5 A
ES2D-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 2 A
MBRTA60020R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRTA80040L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
GP10W-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
MBRTA60020 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE5930 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 A
MBRTA60035 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MSE1PBHM3/89A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MBRF30035R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SB240S-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 2 A
MBRTA60030 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-T20HF220 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 18 MA @ 2200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 60 A