MBRTA50030 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
SD101BW-E3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
MBRTA80035L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SK38-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 850 MV @ 3 A
MBRF20080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N6076US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.76 V @ 18.8 A
MBRF20045R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
ES1PD-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
MBRTA40040L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS21WTHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
MBRTA80030L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 100°C
NTE5926 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 60 A
MBRTA600200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RF101LAM2STFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 870 MV @ 1 A
MBRF20035R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-70HF120M · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 180°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 220 A
MBRTA40030L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS16D-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA