MBRTA40045L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
NTE5844 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.23 V @ 63 A
MBRF12035R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PMEG10020AELPX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 2 A
MBRF60035 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 175°C
IDH16G120C5XKSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.95 V @ 16 A
MBRTA40035L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6064 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 20 MA
MBRTA60045RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 100°C
US2Q-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 2 A
MBRTA40020L · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE6034 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 MA @ 320 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 60 A
MBRF12020R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CD1408-FU1800 · Composants électroniques
- Fabricant
- Bourns Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 1 A
MBRF600200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FFSP3065B · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 30 A
MBRTA60040RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRD5150 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 5 A