1N4448WS-HE3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 720 MV @ 5 MA
Componentes electrónicos
VIT1045C-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
RS1J · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
SBR60100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 200°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 30 A
BAS16WS-G3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
RBQ20NS45AFHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
V3F6-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 600 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 3 A
UG1007GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS40 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
VB10150C-E3/8W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB520S-30DP-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 100 MA
VIT1080C-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SFF1008GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
B140-M3/61T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A
SF1004GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAV19TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
LQA10T200C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Power Integrations
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
B130-M3/5AT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A