HERF1008G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
BAS40LSYL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
VIT2060C-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SK24 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 2 A
VFT1080C-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S2JA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1.5 A
HERF1007GA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAV102-GS08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
HERF1004G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAV21W-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
HERF1008GA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
UG1APL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
RS1MDF-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
VS-MURB1620CT-1-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
BAS21-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
V20PW12CHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
BAT54WSH-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 100 MA
HER1604G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C