BAV103-GS18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
Componentes electrónicos
MBRB1050CT-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
JANS1N5822US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
MBR2045CTF-G1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRF2045CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S1DLHRVG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
HERF1005G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
S2DFS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
APTDF400U120G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.5 MA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.5 V @ 500 A
SFF1004GAH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
HERF1007G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS286-GS18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 100 MA
VS-MURB2020CTR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
FFSH50120A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
C4D40120H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Wolfspeed, Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 1200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 40 A
MBRF2060CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRS1045CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS16LS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A