BAS21VMTE-17 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
Componentes electrónicos
V30M120M-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
BAT42W-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 50 MA
VBT3060C-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
BAT64C-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 100 MA
HER1005GH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS40L2-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
GP1606 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NSR05T30P2T5G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 85 µA @ 30 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SRF1660H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BA158-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
VT1080C-M3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SMD23PE-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 2 A
VBT1045C-E3/4W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
V1F6HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 270 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
BAV20WS-HE3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
MBRS1045CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
LS103C-GS18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA