ไดโอดและทรานซิสเตอร์
MMBF4391 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
TF256TH-5-TL-H · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
J112RL1 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
BFR30 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
TF252TH-4-TL-H · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
2N5116 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
J111RL1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
J112G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
PN4091_D26Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J110RLRAG · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 135°C (TJ)
2N4391 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Solid State Inc.
- รูปแบบการติดตั้ง
- ติดตั้งแบบทะลุรู
- แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ
- –-18
BSR58LT1G · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 150°C (TJ)
P1086_D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)