ไดโอดและทรานซิสเตอร์
SST4119-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
SST5462-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
BSV80 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
SST4118-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
SST174-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N4341 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -65°C ~ 200°C (TJ)
SST174-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MV2N5116 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 500 MW
2N5458 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 135°C (TJ)
2N4093 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 360 MW
DSK5J01P0L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)