ไดโอดและทรานซิสเตอร์
PMBF4391 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW
PN4092_D27Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
DSK5J01Q0L · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Panasonic Electronic Components
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)
PMBF4393 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 250 MW
P1087_D74Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST5485-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
PN4092_D26Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST5461-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
SST204-T1-E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Vishay Siliconix
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด
- 350 MW
P1086_D75Z · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- พีแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- -55°C ~ 150°C (TJ)
BSR56 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- ประเภท FET
- เอ็นแชนเนล
- อุณหภูมิการทำงาน
- 150°C (TJ)