สินค้า

หน้าหลัก > สินค้า > BUK7K6R8-40E,115

BUK7K6R8-40E,115

BUK7K6R8-40E,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ข้อมูลสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน:: BUK7K6R8-40E,115
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss):: 40V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id):: 40A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์	ค่า
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss)	40V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id)	40A
กำลังสูญเสีย (Pd)	64W
แรงดันเกณฑ์ (Vgs(th))	4V
ความจุอินพุต (Ciss)	1.46nF
ประเภท	เอ็นแชนเนล

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 4

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product Model	BUK7K6R8-40E,115
Product Catalogue	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
On-Resistance (RDS(on))	6.8mΩ@10V
Gate Charge (Qg)	9.1nC@20V

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ

A dual-channel standard-level N-channel MOSFET utilising TrenchMOS technology, packaged in LFPAK56D (dual Power-SO8). This product has been designed and certified to AEC Q101 standards, making it suitable for high-performance automotive applications.