PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
BSS138BK,215
BSS138BK,215 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- BSS138BK,215
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- BSS138BK,215
- แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss):
- 60V
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วน | BSS138BK,215 |
| แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss) | 60V |
| กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id) | 360mA |
| ความต้านทานขณะนำกระแส (RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| กำลังสูญเสีย (Pd) | 350mW |
| แรงดันเกณฑ์ (Vgs(th)) | 1.6V |
| ความจุอินพุต (Ciss) | 56pF |
| อุณหภูมิการทำงาน | -55℃ – +150℃ |
| ประเภท | เอ็นแชนเนล |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 2
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 700pC@4.5V |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ
An N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 (TO-236AB) surface-mount device (SMD) plastic package.
