PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- PDTC114ET,215
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- PDTC114ET,215
- แรงดันพังทลายคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (Vceo):
- 50V
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วน | PDTC114ET,215 |
| แรงดันพังทลายคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (Vceo) | 50V |
| กระแสคอลเลกเตอร์ (Ic) | 100mA |
| กำลังสูญเสีย (Pd) | 250mW |
| ประเภททรานซิสเตอร์ | NPN |
| อัตราขยายกระแสตรง (hFE) | 30 |
| อุณหภูมิการทำงาน | -65℃ – +150℃ |
| แรงดันอิ่มตัวคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (VCE(sat)) | 100mV |
| ความถี่ตัด (fT) | 230MHz |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
