สินค้า

หน้าหลัก > สินค้า > NX7002BKR

NX7002BKR

NX7002BKR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ข้อมูลสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน:: NX7002BKR
หมายเลขชิ้นส่วน:: NX7002BKR
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss):: 60V

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์	ค่า
หมายเลขชิ้นส่วน	NX7002BKR
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss)	60V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id)	270mA
ความต้านทานขณะนำกระแส (RDS(on))	2.8Ω@10V
กำลังสูญเสีย (Pd)	310mW
แรงดันเกณฑ์ (Vgs(th))	2.1V
ความจุอินพุต (Ciss)	23.6pF
อุณหภูมิการทำงาน	-55℃ – +150℃

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 2

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product Catalogue	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
Gate Charge (Qg)	1nC@10V

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ

Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.