HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

สินค้า

BZX384-B18-QX

BZX384-B18-QX · ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ข้อมูลสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน:
BZX384-B18-QX
กระแสย้อนกลับ (Ir):
50nA@12.6V
กำลังสูญเสีย (Pd):
300mW

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์ค่า
กระแสย้อนกลับ (Ir)50nA@12.6V
กำลังสูญเสีย (Pd)300mW
ความแม่นยำ±2%

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product ModelBZX384-B18-QX
Product CatalogueZener Diode
Diode Configuration1 Discrete
Voltage Regulation Range17.6V To 18.4V
Impedance (Zzt)200Ω
Operating Junction Temperature Range-65℃ To +150℃

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ขอใบเสนอราคา

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ชิ้นส่วนที่เลือก

สินค้าทั้งหมด
BZX384-B18-QX

BZX384-B18-QX

LIANYIXIN RFQ

แจ้งความต้องการของคุณ

แจ้งหมายเลขชิ้นส่วน จำนวน และข้อกำหนดให้ LIANYIXIN

เราใช้ข้อมูลติดต่อเพื่อตอบคำขอของคุณ ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

พูดคุยกับ LIANYIXIN

สอบถามเกี่ยวกับชิ้นส่วนหรือแจ้งความต้องการ ระบุอีเมลเพื่อให้เราติดต่อกลับได้เมื่อคุณออกจากหน้านี้

เราจะช่วยคุณเรื่องชิ้นส่วนได้อย่างไร