สินค้า

หน้าหลัก > สินค้า > BUK9Y25-60E,115

BUK9Y25-60E,115

BUK9Y25-60E,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์

ข้อมูลสินค้า

หมายเลขชิ้นส่วน:: BUK9Y25-60E,115
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss):: 60V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id):: 34A

ขอใบเสนอราคา

ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา

ขอใบเสนอราคา

ข้อมูลทางเทคนิค

รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

พารามิเตอร์	ค่า
แรงดันเดรน-ซอร์ส (Vdss)	60V
กระแสเดรนต่อเนื่อง (Id)	34A
กำลังสูญเสีย (Pd)	65W
แรงดันเกณฑ์ (Vgs(th))	2.1V
อุณหภูมิการทำงาน	-55°C – +175°C

พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต

ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 5

บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง

Product Model	BUK9Y25-60E,115
Product Catalogue	Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
On-Resistance (RDS(on))	21.5mΩ@10V
Gate Charge (Qg)	17.2nC@5V
Input Capacitance (Ciss)	12nC@5V

รายละเอียดสินค้า

ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้

ดูต้นฉบับภาษาอังกฤษ

Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.