PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
BC857B-QR
BC857B-QR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- BC857B-QR
- ประเภททรานซิสเตอร์:
- PNP
- กระแสคอลเลกเตอร์ (Ic):
- 100mA
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ประเภททรานซิสเตอร์ | PNP |
| กระแสคอลเลกเตอร์ (Ic) | 100mA |
| แรงดันพังทลายคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (Vceo) | 65V |
| กำลังสูญเสีย (Pd) | 250mW |
| อัตราขยายกระแสตรง (hFE) | 125 |
| ความถี่ตัด (fT) | 100MHz |
| แรงดันอิ่มตัวคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์ (VCE(sat)) | 250mV |
| อุณหภูมิการทำงาน | -65℃ – +150℃ |
| แรงดันพังทลายอิมิตเตอร์-เบส (Vebo) | 5V |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 3
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Product Model | BC857B-QR |
|---|---|
| Product Catalogue | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Collector-Base Offset Current (Icbo) | 15nA |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
