PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Qorvo
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- UJ3N065080K3S
- ประเภท FET:
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด:
- 190 W
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ทรานซิสเตอร์ เจเฟต (JFET) |
| ผู้ผลิต | Qorvo |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | UJ3N065080 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ประเภท FET | เอ็นแชนเนล |
| กำลังสูงสุด | 190 W |
| อุณหภูมิการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | บรรจุในหลอด |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | –-247-3 |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 5
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 650 V |
|---|---|
| Current Drain (Id) - Max | 32 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 100V |
| Resistance - RDS(On) | 95 MOhms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 650 V |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
