PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
J109
J109 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- NXP USA Inc.
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- J109
- ประเภท FET:
- เอ็นแชนเนล
- กำลังสูงสุด:
- 400 MW
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ทรานซิสเตอร์ เจเฟต (JFET) |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | J109 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ประเภท FET | เอ็นแชนเนล |
| กำลังสูงสุด | 400 MW |
| อุณหภูมิการทำงาน | 150°C (TJ) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | –-92-3 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและกล่อง (TB) |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 80 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 2 V @ 1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Resistance - RDS(On) | 12 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 25 V |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
