PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
JFE2140DR
JFE2140DR · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Texas Instruments
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- JFE2140DR
- อุณหภูมิการทำงาน:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- รูปแบบการติดตั้ง:
- ติดตั้งบนพื้นผิว
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก ทรานซิสเตอร์ เจเฟต (JFET) |
| ผู้ผลิต | Texas Instruments |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | JFE2140 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| อุณหภูมิการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | 8-SOIC |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | เทปและม้วน (TR) เทปตัด (CT) |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 1.5 V @ 0.1 µA |
| Current Drain (Id) - Max | 50 MA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 40 V |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
