PMEG4010EH,115 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
- หมายเลขชิ้นส่วน
- PMEG4010EH,115
- กระแสย้อนกลับ (Ir)
- 100uA@40V
สินค้า
1N5314-1E3
1N5314-1E3 · ไดโอดและทรานซิสเตอร์
ข้อมูลสินค้า
- ผู้ผลิต:
- Microchip Technology
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- 1N5314-1E3
- แรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak):
- 100V
- อุณหภูมิการทำงาน:
- -65°C ~ 175°C (TJ)
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมวดหมู่ | ชิ้นส่วนสารกึ่งตัวนำแบบแยก การควบคุมกระแส — ไดโอดและทรานซิสเตอร์ |
| ผู้ผลิต | Microchip Technology |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N5314 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| แรงดันแอโนด-แคโทดสูงสุด (Vak) | 100V |
| อุณหภูมิการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| กำลังสูงสุด | 500mW |
| แรงดันจำกัดสูงสุด | 2.9V |
| กระแสเรกูเลเตอร์สูงสุด | 5.17mA |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจที่ผู้ผลิตระบุ | DO-7 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | บรรจุรวม |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
