AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5115UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N4857 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK880GRTE85LF · 다이오드 및 트랜지스터제조사Toshiba Semiconductor And StorageFET 유형N채널최대 전력100 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J175-D26Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4092UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.JFE150DCKT · 다이오드 및 트랜지스터제조사Texas InstrumentsFET 유형N채널동작 온도-40°C ~ 125°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.JFE150DCKR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Texas InstrumentsFET 유형N채널동작 온도-40°C ~ 125°C (TA) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5115E3 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4393 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형N채널동작 온도-65°C ~ 175°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N4858A · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형N채널동작 온도-65°C ~ 200°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2N5460 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Central Semiconductor CorpFET 유형P채널최대 전력310 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J109 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J111 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK2145-Y(TE85L · 다이오드 및 트랜지스터제조사Toshiba Semiconductor And Storage최대 전력300 MW동작 온도125°C (TJ) 견적 요청
