제품
2N5115UB
2N5115UB · 다이오드 및 트랜지스터
제품 정보
- 제조사:
- Microchip Technology
- 부품 번호:
- 2N5115UB
- FET 유형:
- P채널
- 최대 전력:
- 500 MW
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견적 요청기술 사양
동일 모델 · 일관된 매개변수
제품 식별 정보
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 카테고리 | 개별 반도체 소자 트랜지스터 접합형 FET (JFET) |
| 시리즈 | 군용, MIL-PRF-19500 |
| 제조사 | Microchip Technology |
| 기본 제품 번호 | 2N5115 |
전기적 특성
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| FET 유형 | P채널 |
| 최대 전력 | 500 MW |
| 동작 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
패키지 및 기계 사양
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 실장 방식 | 표면 실장 |
| 제조사 지정 패키지 | UB |
| 패키지 / 케이스 | 벌크 |
일치하는 매개변수가 없습니다
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원본 항목 · 영어 · 6
일부 원본 항목은 번역 대기 중이며 아래에 영어로 별도 표시됩니다.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 60 MA @ 15 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 6 V @ 1 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 30 V |
제품 개요
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