제품
PMV100EPAR
PMV100EPAR · 다이오드 및 트랜지스터
제품 정보
- 부품 번호:
- PMV100EPAR
- 부품 번호:
- PMV100EPAR
- 드레인-소스 전압 (Vdss):
- 60V
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견적 요청기술 사양
동일 모델 · 일관된 매개변수
전기적 특성
| 매개변수 | 값 |
|---|---|
| 부품 번호 | PMV100EPAR |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 연속 드레인 전류 (Id) | 2.2A |
| 소비 전력 (Pd) | 8.3W |
| 입력 정전 용량 (Ciss) | 616pF |
| 역전달 정전 용량 (Crss) | 26pF |
| 동작 온도 | -55℃ – +175℃ |
| 유형 | P채널 |
일치하는 매개변수가 없습니다
해당 모델의 매개변수입니다. 패키지와 시험 조건은 제조사 데이터시트를 확인하세요.
원본 항목 · 영어 · 3
일부 원본 항목은 번역 대기 중이며 아래에 영어로 별도 표시됩니다.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 130mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 17nC@10V |
제품 개요
번역된 개요가 아직 없습니다. 아래에 해당 모델의 매개변수가 표시됩니다.
영어 원본 보기
A N-channel enhancement-mode field-effect transistor (FET) utilising trench MOSFET technology, housed in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package.
