AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MV2N4861UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.BFR31 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N2608 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널동작 온도-65°C ~ 200°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N2609 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널동작 온도-65°C ~ 200°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N5114UB · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MQ2N5114UB/TR · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형P채널최대 전력500 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PMBFJ309 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형N채널최대 전력250 MW 견적 요청
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AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N4858 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널동작 온도-65°C ~ 200°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.BFR30 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형N채널동작 온도150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.MX2N4859 · 다이오드 및 트랜지스터제조사Microchip TechnologyFET 유형N채널최대 전력360 MW 견적 요청
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