AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J110_D26Z · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK23800QL · 다이오드 및 트랜지스터제조사Panasonic Electronic ComponentsFET 유형N채널동작 온도125°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.SMMBFJ177LT1G · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형P채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PMBFJ174 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형P채널최대 전력300 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PN4392 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.J113 · 다이오드 및 트랜지스터제조사OnsemiFET 유형N채널동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PMBFJ108 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형N채널최대 전력250 MW 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.2SK2145-BL(TE85L · 다이오드 및 트랜지스터제조사Toshiba Semiconductor And Storage최대 전력300 MW동작 온도125°C (TJ) 견적 요청
AI로 생성한 카테고리 예시 이미지이며 실제 제품 사진이 아닙니다.PMBFJ176 · 다이오드 및 트랜지스터제조사NXP USA Inc.FET 유형P채널최대 전력300 MW 견적 요청
