VX60M153PWHM3/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
전자 부품
1N4148WS-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
VS-40L15CW-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- 125°C (Max)
V20PWM63HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 35 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 20 A
VS-40CPQ040-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 40A
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
10MQ040N · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 540 MV @ 1 A
V30KM100HM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 810 MV @ 30 A
1N4148WS-HG3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
NRVTS12120MFST3G · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 75 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 830 MV @ 12 A
VX60M153PW-M3/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
BAV20WS-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
VI20202C-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
MBRAD15100H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 15 A