VS-48CTQ060-1-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
전자 부품
RB530CM-60T2R · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 15 MA
VX60M60PW-M3/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
SE70PJ-M3/86A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 7 A
VT30L60C-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
BAT46GWJ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 9 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 250 MA
VS-6CWQ10FNHM3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3.5A
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
SS10P6HM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 7 A
SBLB25L30CT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 12.5A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
V10PWM153HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 10 A
VS-40CTQ045-1-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
V10P45HM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 800 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 10 A
FES1JE · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A