VS-8ETU04STRL-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
전자 부품
BAV21W-E3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
SBA140AS_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 510 MV @ 1 A
SL44HE3_B/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 8 A
NRVTS12120MFST1G · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 75 µA @ 120 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 830 MV @ 12 A
VSSAF3M63-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 3 A
1N4002G-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
V20PWL63HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 20 A