PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
BUK7K6R8-40E,115
BUK7K6R8-40E,115 · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- BUK7K6R8-40E,115
- Tensione drain-source (Vdss):
- 40V
- Corrente di drain continua (Id):
- 40A
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Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Corrente di drain continua (Id) | 40A |
| Potenza dissipata (Pd) | 64W |
| Tensione di soglia (Vgs(th)) | 4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 1.46nF |
| Tipo | Canale N |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 4
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Product Model | BUK7K6R8-40E,115 |
|---|---|
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
| On-Resistance (RDS(on)) | 6.8mΩ@10V |
| Gate Charge (Qg) | 9.1nC@20V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
Visualizza originale inglese
A dual-channel standard-level N-channel MOSFET utilising TrenchMOS technology, packaged in LFPAK56D (dual Power-SO8). This product has been designed and certified to AEC Q101 standards, making it suitable for high-performance automotive applications.
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