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BC846B,215

Prezzo, disponibilità e consegna sono confermati nel preventivo.

Stesso modello · parametri coerenti

Parametro	Valore
Tipo di transistor	PNP
Corrente di collettore (Ic)	100mA
Tensione di rottura collettore-emettitore (Vceo)	65V
Potenza dissipata (Pd)	250mW
Guadagno di corrente continua (hFE)	200
Frequenza di transizione (fT)	100MHz
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat))	200mV
Temperatura operativa	-65℃ – +150℃
Tensione di rottura emettitore-base (Vebo)	6V

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Campi originali · inglese · 3

Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.

Product Model	BC846B,215
Product Catalogue	Bipolar Junction Transistor (BJT)
Collector-Base Offset Current (Icbo)	5μA

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.