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BC807-40-QR

Prezzo, disponibilità e consegna sono confermati nel preventivo.

Stesso modello · parametri coerenti

Parametro	Valore
Codice componente	BC807-40-QR
Tipo di transistor	PNP
Corrente di collettore (Ic)	500mA
Tensione di rottura collettore-emettitore (Vceo)	45V
Potenza dissipata (Pd)	345mW
Guadagno di corrente continua (hFE)	600
Frequenza di transizione (fT)	80MHz
Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat))	700mV
Temperatura operativa	-65℃ – +150℃
Tensione di rottura emettitore-base (Vebo)	5V

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Campi originali · inglese · 2

Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.

Product Catalogue	Bipolar Junction Transistor (BJT)
Collector-Base Offset Current (Icbo)	100nA

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.