PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
PDTC114ET,215
PDTC114ET,215 · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- PDTC114ET,215
- Codice componente:
- PDTC114ET,215
- Tensione di rottura collettore-emettitore (Vceo):
- 50V
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Stesso modello · parametri coerenti
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Codice componente | PDTC114ET,215 |
| Tensione di rottura collettore-emettitore (Vceo) | 50V |
| Corrente di collettore (Ic) | 100mA |
| Potenza dissipata (Pd) | 250mW |
| Tipo di transistor | NPN |
| Guadagno di corrente continua (hFE) | 30 |
| Temperatura operativa | -65℃ – +150℃ |
| Tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) | 100mV |
| Frequenza di transizione (fT) | 230MHz |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 6
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Product Catalogue | Digital Transistors |
|---|---|
| Minimum Input Voltage (VI(on)) | 1.8V |
| Maximum Input Voltage (VI(off)) | 1.1V |
| Input Resistance | 13kΩ |
| Resistance Ratio | 1 |
| Collector Bias Current (Icbo) | 100nA |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
Visualizza originale inglese
NPN resistor-equipped transistor (RET) in a compact SOT23 surface-mount device (SMD) plastic package. PNP complementary counterpart: PDTA114ET
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