PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
NX7002BKR
NX7002BKR · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- NX7002BKR
- Codice componente:
- NX7002BKR
- Tensione drain-source (Vdss):
- 60V
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Stesso modello · parametri coerenti
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Codice componente | NX7002BKR |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Corrente di drain continua (Id) | 270mA |
| Resistenza in conduzione (RDS(on)) | 2.8Ω@10V |
| Potenza dissipata (Pd) | 310mW |
| Tensione di soglia (Vgs(th)) | 2.1V |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 23.6pF |
| Temperatura operativa | -55℃ – +150℃ |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 2
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Product Catalogue | Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) | 1nC@10V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
Visualizza originale inglese
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
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