PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
BUK9K35-60E,115
BUK9K35-60E,115 · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Codice componente:
- BUK9K35-60E,115
- Tensione drain-source (Vdss):
- 60V
- Corrente di drain continua (Id):
- 22A
Richiedi un preventivo
Prezzo, disponibilità e consegna sono confermati nel preventivo.
Richiedi un preventivoSpecifiche tecniche
Stesso modello · parametri coerenti
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Corrente di drain continua (Id) | 22A |
| Potenza dissipata (Pd) | 38W |
| Tensione di soglia (Vgs(th)) | 2.1V |
| Carica di gate (Qg) | 7.8 NC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 1.081 NF |
| Temperatura operativa | -55°C – +175°C |
| Tipo | Canale N |
| Capacità di uscita (Coss) | 118 PF |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 2
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Product Model | BUK9K35-60E,115 |
|---|---|
| On-Resistance (RDS(on)) | 35mΩ@5V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
Visualizza originale inglese
Dual logic-level N-channel MOSFET employing TrenchMOS technology in an LFPAK56D (dual Power - SO8) package. Designed and certified to AEC Q101 standards, this product is suitable for high-performance automotive applications.
Richiedi un preventivo
Componenti selezionati
Tutti i prodotti
PMV48XPAR · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMV48XPAR
- Tensione drain-source (Vdss)
- 20V
PMV100EPAR · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMV100EPAR
- Tensione drain-source (Vdss)
- 60V
24AA02/SN · Diodi e transistor
- Codice componente
- 24AA02/SN
- Frequenza di clock (fc)
- 400kHz