PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
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| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V |
| Corrente di drain continua (Id) | 360mA |
| Resistenza in conduzione (RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| Potenza dissipata (Pd) | 350mW; 1.14W |
| Tensione di soglia (Vgs(th)) | 1.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) | 50 PF |
| Temperatura operativa | -55°C – +150°C |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Product Model | BSS138P, 215 |
|---|---|
| Product Catalogue | Field Effect Transistors (MOSFET) |
| Gate Charge (Qg) | 800pC@4.5V |
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.