PMEG4010EH,115 · Diodi e transistor
- Codice componente
- PMEG4010EH,115
- Corrente inversa (Ir)
- 100uA@40V
Prodotti
2N5114UB
2N5114UB · Diodi e transistor
Informazioni prodotto
- Produttore:
- Microchip Technology
- Codice componente:
- 2N5114UB
- Tipo di FET:
- Canale P
- Potenza massima:
- 500 MW
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti Transistor Transistor JFET |
| Serie | Militare, MIL-PRF-19500 |
| Produttore | Microchip Technology |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di FET | Canale P |
| Potenza massima | 500 MW |
| Temperatura operativa | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore del produttore | UB |
| Contenitore / involucro | Sfuso |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 6
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 90 MA @ 18 V |
| Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id | 10 V @ 1 NA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 75 Ohms |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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