SMP5485 · Diodes et transistors
- Fabricant
- InterFET
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
Diodes et transistors
IF4500ST3TR · Diodes et transistors
- Fabricant
- InterFET
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
SMP5460TR · Diodes et transistors
- Fabricant
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- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
SMP4118 · Diodes et transistors
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- InterFET
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- Puissance maximale
- 350 MW
SMPJ177 · Diodes et transistors
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- Puissance maximale
- 350 MW
IFN160CST3 · Diodes et transistors
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- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SMP4117 · Diodes et transistors
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- 350 MW
SMP5116 · Diodes et transistors
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- 350 MW
SMPJ304TR · Diodes et transistors
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- 350 MW
SMP4391 · Diodes et transistors
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- 350 MW
IFN201ST3TR · Diodes et transistors
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- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SMPJ305 · Diodes et transistors
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- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
LS5912 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS841 · Diodes et transistors
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- 400 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST404 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 300 MW
U308 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS841 · Diodes et transistors
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- 400 MW
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LS845 · Diodes et transistors
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- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 400 MW
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- -55°C ~ 150°C (TJ)