LSJ74D · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 400 MW
Diodes et transistors
U402 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 300 MW
LS3956 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 400 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST441 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
2N5115 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 500 MW
LS5912 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J177 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 135°C (TJ)
U309 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LSK489A · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LSK170D · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 400 MW
SST94 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 135°C (TJ)
LS320 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 200 MW
LSK489B · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J210 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
SST176 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
LSK489 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PN4393 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
LSK170C · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 135°C (TJ)