LSK489B · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodes et transistors
LSK489 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 400 MW
LSK589 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Puissance maximale
- 500 MW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST401 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Puissance maximale
- 300 MW
J202 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
J211 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 360 MW
PN4118 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
SST175 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
LS846 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
· Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal P
- Puissance maximale
- 350 MW
LSK170D · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 400 MW
LSBF510 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4119 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 300 MW
SST4392 · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
LS26VNS · Diodes et transistors
- Fabricant
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 350 MW
J110 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 400 MW
J109 · Diodes et transistors
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Type de FET
- Canal N
- Puissance maximale
- 400 MW