30FQ035 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 630 MV @ 30 A
Composants électroniques
JANS1N5617US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
1N5812 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
VS-SD400C12C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.86 V @ 1930 A
MBRH120200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 120 A
MBRH12080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 120 A
VS-SD300C16C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.08 V @ 1500 A
MBRH12045R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 120 A
UFT3150A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 15 A
MBRH12030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 120 A
USD245C · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
MBRH120100R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 120 A
1N5816 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A
UFR3120PF · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 30 A
JANTXV1N5712UR-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 NA @ 16 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 35 MA
JANTX1N1190 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1615R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 15 A
1N5816E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 20 A