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MBRH12080R
MBRH12080R · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- Référence:
- MBRH12080R
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 4 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 840 MV @ 120 A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie | Semi-conducteurs discrets · diodes de redressement simples |
| Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
| Référence de base | MBRH12080 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 4 MA @ 20 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 840 MV @ 120 A |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 80 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 120A |
| Vitesse | Recouvrement rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Montage sur châssis |
| Boîtier indiqué par le fabricant | D-67 |
| Boîtier | Vrac |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 1
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Technology | Schottky, Reverse Polarity |
|---|
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel