MBRH120200 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr1 MA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If920 MV @ 120 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UES1106HR2/TR · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 1 ATemps de recouvrement inverse (trr)50 Ns Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N5820/TR · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyCourant de fuite inverse à Vr100 µA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 3 A Demander un devis
MCP6H74T-E/ST · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyArrêtSans fonction d’arrêtConditionnementBobine Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N5814 · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyCourant de fuite inverse à Vr10 µA @ 100 VTension directe maximale (Vf) à If950 MV @ 20 A Demander un devis
MBRH12080 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr4 MA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If840 MV @ 120 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N5820 · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyCourant de fuite inverse à Vr100 µA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If500 MV @ 3 A Demander un devis
MBRH120150 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr1 MA @ 150 VTension directe maximale (Vf) à If880 MV @ 120 A Demander un devis
MBRH12045 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr4 MA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If650 MV @ 120 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.JANS1N5621/TR · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyTempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 200°CTension directe maximale (Vf) à If1.6 V @ 3 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.NCV20091SN2T1G · Composants électroniquesFabricantOnsemiConditionnementBobine Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.UES704R · Composants électroniquesFabricantMicrochip TechnologyTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 20 ATemps de recouvrement inverse (trr)50 Ns Demander un devis
MBRH12030 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr4 MA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If650 MV @ 120 A Demander un devis
MBRH12060 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr4 MA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If750 MV @ 120 A Demander un devis
MAX44281VANS+T · Composants électroniquesFabricantMaxim IntegratedConditionnementBobine Demander un devis
MBRH120150R · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr1 MA @ 150 VTension directe maximale (Vf) à If880 MV @ 120 A Demander un devis
MBRH120100 · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant de fuite inverse à Vr4 MA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If840 MV @ 120 A Demander un devis