VS-SD200R24PC · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 2400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 630 A
Composants électroniques
JANTXV1N3671AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 38 A
VS-SD303C12S15C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.26 V @ 1100 A
AZ4580GTR-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
JANS1N5416US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANS1N6642UBCC/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
VS-SD300C20C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 2000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.08 V @ 1500 A
JANS1N5418US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANTXV1N3673AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 38 A
JANS1N5419US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
BU7271G-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- ROHM Semiconductor
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine
JANS1N5420US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JANS1N5418US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JAN1N5822US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
SD24145C · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 30 A
JANS1N6642UBD/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
MBRH200150R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 200 A
VS-SD1100C08C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 1500 A