Composants électroniques
MBRH200200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 200 A
MBRH200150 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 200 A
MBRH20060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 200 A
JANS1N5415US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
MBRH20080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 200 A
SD41 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 30 A
MBRH20060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 200 A
JANTX1N1190R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1202A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.3 V @ 240 A
JAN1N5822US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
MBRH20040R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 200 A
MBRH200200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 200 A
S-89430ACMC-HBUT2U · Composants électroniques
- Fabricant
- SII Semiconductor
- Conditionnement
- Bobine
UES1302HR2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 925 MV @ 6 A
MBRH200100R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 200 A
UFR3140R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 30 A
MBRH20080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 200 A