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VS-SD303C12S15C
VS-SD303C12S15C · Composants électroniques
Informations produit
- Fabricant:
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Référence:
- VS-SD303C12S15C
- Courant de fuite inverse à Vr:
- 35 MA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If:
- 2.26 V @ 1100 A
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Demander un devisCaractéristiques techniques
Même modèle · paramètres cohérents
Identification du composant
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Fabricant | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Référence de base | SD303 |
Caractéristiques électriques
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Courant de fuite inverse à Vr | 35 MA @ 1200 V |
| Tension directe maximale (Vf) à If | 2.26 V @ 1100 A |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 1.5 µs |
| Technologie | Standard |
| Tension inverse CC maximale (Vr) | 1200 V |
| Courant redressé moyen (Io) | 350A |
| Vitesse | Recouvrement standard >500ns, > 200mA (Io) |
Boîtier et mécanique
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Boîtier indiqué par le fabricant | DO-200AA, A-PUK |
| Boîtier | Vrac |
Aucun paramètre correspondant
Ces paramètres concernent ce modèle. Vérifiez le boîtier et les conditions de mesure dans la fiche du fabricant.
Champs d’origine · anglais · 2
Certains champs attendent une traduction et sont présentés séparément en anglais.
| Category | Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes |
|---|---|
| Mounting Type | Clamp On |
Description
La description localisée n’est pas encore disponible. Les paramètres de ce modèle sont présentés ci-dessous.
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XCKU040-2FFVA1156I · Composants électroniques
- Fabricant
- XILINX
- Boîtier
- FCBGA-1156
- Température de fonctionnement
- Industriel