NTE5890 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.26 V @ 38 A
Composants électroniques
MBRF50060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH6010W · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2 V @ 60 A
MBRTA600200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
C3D08065A · Composants électroniques
- Fabricant
- Wolfspeed, Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 8 A
MBRF40020 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH1L06A · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
FST6310M · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE5923 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 12 MA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.23 V @ 63 A
MBRF30060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5620 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
MBRTA50030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-3EMH06-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
MBRF500100 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N6621US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 440 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
DPF60C200HJ · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
ISL9R3060G2-F085 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.4 V @ 30 A
MBRF30040 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C